Ngăn ngừa hàng giả và hàng lỗi
Kiểm tra hình ảnh và đóng gói
Xác minh Hiệu suất Điện
Email dịch vụ
[email protected]
>
SIS612EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
1646 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Yêu cầu báo giá
(Giao hàng vào ngày mai)
*Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
5.0 / 5.0
- (199 Đánh giá)
SIS612EDNT-T1-GE3
Tổng quan sản phẩm
12786535
DiGi Electronics Số hiệu phần
SIS612EDNT-T1-GE3-DGNhà sản xuất
Vishay Siliconix
SIS612EDNT-T1-GE3
Mô tả
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8SHàng tồn kho
1646 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
Mua sắm và hỏi thăm
Bảo hành & Trả hàng
Cách đặt hàng
Vận chuyển & Giao hàng
Đảm bảo chất lượng
365 - Đảm Bảo Chất Lượng Hàng Ngày - Mọi bộ phận đều được hỗ trợ đầy đủ.
Hoàn tiền hoặc đổi hàng trong 90 ngày - Bộ phận bị lỗi? Không rắc rối.
Hàng tồn kho có hạn, đặt hàng ngay - Nhận linh kiện đáng tin cậy mà không lo lắng.
Giao Hàng Toàn Cầu & Bao Bọc An Toàn
Giao hàng toàn cầu trong 3-5 ngày làm việc
Bao bì chống tĩnh điện 100%
Theo dõi theo thời gian thực cho mọi đơn hàng
Thanh toán an toàn & linh hoạt
Thẻ tín dụng, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Chuyển khoản ngân hàng (T/T) và nhiều hơn nữa
Tất cả các khoản thanh toán được mã hóa để đảm bảo an toàn
SIS612EDNT-T1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor, FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Đóng gói
-
Loạt
TrenchFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2060 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8S
Gói / Trường hợp
PowerPAK® 1212-8S
Số sản phẩm cơ sở
SIS612
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Tải xuống SIS612EDNT-T1-GE3 Thông số kỹ thuật sản phẩm (PDF)
Bảng dữ liệu
SiS612EDNT Series
Bảng dữ liệu HTML
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Phụ tùng thay thế
SỐ PHẦN
NHÀ SẢN XUẤT
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
DiGi SỐ PHẦN
ĐƠN GIÁ
Loại thay thế
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な対応と丁寧なサポートにより、ビジネスの効率が上がっています。
Dec 02, 2025
Even on a slower internet connection, the website loads quickly and functions well.
Dec 02, 2025
Their commitment to speedy delivery and reducing environmental impact is commendable.
Dec 02, 2025
I value the transparency in their pricing, which makes comparing and deciding easy.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Chức năng chính của MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 là gì?
MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 là loại transistor có kênh N dùng cho các ứng dụng chuyển mạch và quản lý công suất, có khả năng chịu tải lên đến 50A và 20V, phù hợp với các mạch công suất hiệu quả cao.
MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 có tương thích với thiết kế bo mạch PCB dạng mặt nổi không?
Có, loại MOSFET này sử dụng gói PowerPAK® 1212-8S dạng mặt nổi, được tối ưu hóa cho các thiết kế PCB mật độ cao và dễ dàng lắp đặt trong các sản phẩm dạng mặt nổi.
Những lợi thế chính của việc sử dụng dòng MOSFET TrenchFET® của Vishay là gì?
Dòng TrenchFET® mang lại điện trở Rds On thấp, khả năng chịu dòng lớn, hiệu suất nhiệt xuất sắc, giúp chuyển đổi công suất hiệu quả với ít nhiệt thải và giảm tiêu hao năng lượng.
Liệu MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 có thể hoạt động trong môi trường có nhiệt độ cao không?
Có, nó có nhiệt độ hoạt động tối đa lên đến 150°C, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất đáng tin cậy trong điều kiện nhiệt độ cao.
MOSFET Vishay SIS612EDNT-T1-GE3 có đáp ứng RoHS và phù hợp với các tiêu chuẩn môi trường không?
Có, sản phẩm này đạt tiêu chuẩn RoHS3, đảm bảo đáp ứng các tiêu chuẩn về hạn chế sử dụng các chất độc hại, an toàn cho sản xuất điện tử thân thiện với môi trường.
Đảm bảo chất lượng (QC)
DiGi đảm bảo chất lượng và tính xác thực của mọi linh kiện điện tử thông qua kiểm tra chuyên nghiệp và lấy mẫu theo lô, cam kết nguồn cung đáng tin cậy, hiệu suất ổn định và tuân thủ thông số kỹ thuật, giúp khách hàng giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng và tự tin sử dụng linh kiện trong sản xuất.
SIS612EDNT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
