SIR494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (202 Đánh giá)

SIR494DP-T1-GE3

Tổng quan sản phẩm

12786154

DiGi Electronics Số hiệu phần

SIR494DP-T1-GE3-DG

Nhà sản xuất

Vishay Siliconix
SIR494DP-T1-GE3

Mô tả

MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
N-Channel 12 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
FET đơn, MOSFET
Số lượng
Tối thiểu 1

Mua sắm và hỏi thăm

Yêu cầu báo giá

Bạn có thể gửi yêu cầu báo giá (RFQ) của mình trực tiếp trên trang chi tiết sản phẩm hoặc trang RFQ. Đội ngũ bán hàng của chúng tôi sẽ phản hồi yêu cầu của bạn trong vòng 24 giờ.

Phương thức thanh toán

Chúng tôi cung cấp nhiều phương thức thanh toán thuận tiện bao gồm PayPal (được khuyến nghị cho khách hàng mới), Thẻ tín dụng và Chuyển khoản ngân hàng (T/T) bằng USD, EUR, HKD và các loại khác.

THÔNG BÁO QUAN TRỌNG

Sau khi bạn gửi RFQ, bạn sẽ nhận được một email trong hộp thư của mình thông báo về việc chúng tôi đã nhận được yêu cầu của bạn. Nếu bạn không nhận được, địa chỉ email của chúng tôi có thể đã bị xác định nhầm là spam. Vui lòng kiểm tra thư mục spam của bạn và thêm địa chỉ email của chúng tôi [email protected] vào danh sách trắng của bạn để đảm bảo rằng bạn nhận được báo giá của chúng tôi. Do khả năng có sự thay đổi về hàng tồn kho và giá cả, đội ngũ bán hàng của chúng tôi cần xác nhận lại yêu cầu hoặc đơn hàng của bạn và gửi cho bạn bất kỳ cập nhật nào qua email một cách kịp thời. Nếu bạn có bất kỳ câu hỏi nào khác hoặc cần thêm sự giúp đỡ, xin vui lòng cho chúng tôi biết.

Yêu cầu báo giá(Giao hàng vào ngày mai)
Số lượng
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ

SIR494DP-T1-GE3 Thông số kỹ thuật

Danh mục FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET

Nhà sản xuất Vishay

Đóng gói -

Loạt TrenchFET®

Tình trạng sản phẩm Obsolete

Loại FET N-Channel

Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)

Xả đến nguồn Voltage (Vdss) 12 V

Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)

Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu) 4.5V, 10V

Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Tối đa) @ Id 2.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 150 nC @ 10 V

Vgs (Tối đa) ±20V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds 6900 pF @ 6 V

Tính năng FET -

Tiêu tán điện năng (Tối đa) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)

Loại gắn kết Surface Mount

Gói thiết bị nhà cung cấp PowerPAK® SO-8

Gói / Trường hợp PowerPAK® SO-8

Số sản phẩm cơ sở SIR494

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

SIR494DP

Bảng dữ liệu HTML

SIR494DP-T1-GE3-DG

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS ROHS3 Compliant

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SIR494DP-T1-GE3TR
SIR494DPT1GE3
SIR494DP-T1-GE3DKR
SIR494DP-T1-GE3CT
SIR494DP-T1-GE3-DG
Chứng nhận DIGI
Blog và bài viết