Ngăn ngừa hàng giả và hàng lỗi
Kiểm tra hình ảnh và đóng gói
Xác minh Hiệu suất Điện
Email dịch vụ
[email protected]
>
SIR494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
16450 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 12 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Yêu cầu báo giá
(Giao hàng vào ngày mai)
*Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
5.0 / 5.0
- (220 Đánh giá)
SIR494DP-T1-GE3
Tổng quan sản phẩm
12786154
DiGi Electronics Số hiệu phần
SIR494DP-T1-GE3-DGNhà sản xuất
Vishay Siliconix
SIR494DP-T1-GE3
Mô tả
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8Hàng tồn kho
16450 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 12 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
Mua sắm và hỏi thăm
Bảo hành & Trả hàng
Cách đặt hàng
Vận chuyển & Giao hàng
Đảm bảo chất lượng
365 - Đảm Bảo Chất Lượng Hàng Ngày - Mọi bộ phận đều được hỗ trợ đầy đủ.
Hoàn tiền hoặc đổi hàng trong 90 ngày - Bộ phận bị lỗi? Không rắc rối.
Hàng tồn kho có hạn, đặt hàng ngay - Nhận linh kiện đáng tin cậy mà không lo lắng.
Giao Hàng Toàn Cầu & Bao Bọc An Toàn
Giao hàng toàn cầu trong 3-5 ngày làm việc
Bao bì chống tĩnh điện 100%
Theo dõi theo thời gian thực cho mọi đơn hàng
Thanh toán an toàn & linh hoạt
Thẻ tín dụng, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Chuyển khoản ngân hàng (T/T) và nhiều hơn nữa
Tất cả các khoản thanh toán được mã hóa để đảm bảo an toàn
SIR494DP-T1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor, FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Đóng gói
-
Loạt
TrenchFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6900 pF @ 6 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Gói / Trường hợp
PowerPAK® SO-8
Số sản phẩm cơ sở
SIR494
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Tải xuống SIR494DP-T1-GE3 Thông số kỹ thuật sản phẩm (PDF)
Bảng dữ liệu
SIR494DP
Bảng dữ liệu HTML
SIR494DP-T1-GE3-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SIR494DP-T1-GE3TR
SIR494DPT1GE3
SIR494DP-T1-GE3DKR
SIR494DP-T1-GE3CT
SIR494DP-T1-GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
快速出貨，大大提升了我的購物體驗，包裝也非常安全，滿意！
Dec 02, 2025
I appreciate how DiGi Electronics maintains price transparency across all transactions.
Dec 02, 2025
Their products help me stay productive, and their prices are just right.
Dec 02, 2025
The sustainable packaging materials made me feel good about my purchase, knowing it’s environmentally responsible.
Dec 02, 2025
Their reliable, long-lasting components are perfect for building projects that need to stand up to tough conditions.
Dec 02, 2025
The after-sales support from DiGi Electronics is exceptional; they tracked my shipment closely and kept me updated throughout.
Dec 02, 2025
Easy to modify my cart before finalizing the purchase, thanks to the user-friendly design.
Dec 02, 2025
Their professional approach makes every purchase a positive experience.
Dec 02, 2025
Their commitment to quality control ensures every product performs as promised.
Xuất bản Đánh giá
Thông điệp Đánh giá
Please enter your review message.
Vui lòng đăng các bình luận trung thực và không đăng các bình luận bất hợp pháp.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Các đặc điểm chính của MOSFET Vishay SIR494DP-T1-GE3 là gì?
Vishay SIR494DP-T1-GE3 là một MOSFET N-chân hiệu suất cao với điện áp drain-source 12V, có thể chịu tải dòng lên tới 60A, được thiết kế để lắp trên bề mặt trong gói PowerPAK® SO-8. Nó có khả năng Rds On thấp và khả năng phân tán nhiệt cao phù hợp với các ứng dụng đòi hỏi cao.
Các ứng dụng phù hợp với loại MOSFET N-chân 12V, 60A này là gì?
MOSFET này lý tưởng cho các mạch chuyển mạch công suất, điều khiển động cơ, và bộ chuyển đổi DC-DC trong các thiết bị điện tử đòi hỏi hiệu suất cao và hoạt động đáng tin cậy ở dòng điện và điện áp cao.
Vishay SIR494DP-T1-GE3 có tương thích với điện áp drive tiêu chuẩn của MOSFET không?
Có, MOSFET này có thể hoạt động với điện áp điều khiển 4.5V và 10V, phù hợp với các mạch điều khiển logic và mạch driver gate tiêu chuẩn để đạt hiệu suất Rds On tối ưu.
Lợi ích của việc chọn MOSFET PowerPAK® SO-8 này so với loại qua lỗ là gì?
Gói PowerPAK® SO-8 gắn trên bề mặt mang lại kích thước nhỏ gọn hơn, khả năng tản nhiệt cải thiện và quy trình lắp ráp đơn giản hơn, rất hữu ích cho thiết kế mạch có mật độ cao và khả năng tản nhiệt hiệu quả trong các thiết bị nhỏ gọn.
Vishay SIR494DP-T1-GE3 có tuân thủ RoHS và chính sách hậu mãi như thế nào?
Có, MOSFET này tuân thủ RoHS3, đảm bảo sản xuất thân thiện với môi trường. Để được hỗ trợ hoặc yêu cầu bảo hành, vui lòng liên hệ với Vishay hoặc nhà phân phối của bạn để nhận dịch vụ hậu mãi và hỗ trợ kỹ thuật.
Đảm bảo chất lượng (QC)
DiGi đảm bảo chất lượng và tính xác thực của mọi linh kiện điện tử thông qua kiểm tra chuyên nghiệp và lấy mẫu theo lô, cam kết nguồn cung đáng tin cậy, hiệu suất ổn định và tuân thủ thông số kỹ thuật, giúp khách hàng giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng và tự tin sử dụng linh kiện trong sản xuất.
SIR494DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR494DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
