Ngăn ngừa hàng giả và hàng lỗi
Kiểm tra hình ảnh và đóng gói
Xác minh Hiệu suất Điện
Email dịch vụ
[email protected]
>
SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
1400 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 150 V 36.8A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Yêu cầu báo giá
(Giao hàng vào ngày mai)
*Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
5.0 / 5.0
- (342 Đánh giá)
SIJ494DP-T1-GE3
Tổng quan sản phẩm
12787520
DiGi Electronics Số hiệu phần
SIJ494DP-T1-GE3-DGNhà sản xuất
Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3
Mô tả
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8Hàng tồn kho
1400 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 150 V 36.8A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
Mua sắm và hỏi thăm
Bảo hành & Trả hàng
Cách đặt hàng
Vận chuyển & Giao hàng
Đảm bảo chất lượng
365 - Đảm Bảo Chất Lượng Hàng Ngày - Mọi bộ phận đều được hỗ trợ đầy đủ.
Hoàn tiền hoặc đổi hàng trong 90 ngày - Bộ phận bị lỗi? Không rắc rối.
Hàng tồn kho có hạn, đặt hàng ngay - Nhận linh kiện đáng tin cậy mà không lo lắng.
Giao Hàng Toàn Cầu & Bao Bọc An Toàn
Giao hàng toàn cầu trong 3-5 ngày làm việc
Bao bì chống tĩnh điện 100%
Theo dõi theo thời gian thực cho mọi đơn hàng
Thanh toán an toàn & linh hoạt
Thẻ tín dụng, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Chuyển khoản ngân hàng (T/T) và nhiều hơn nữa
Tất cả các khoản thanh toán được mã hóa để đảm bảo an toàn
SIJ494DP-T1-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor, FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
ThunderFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
150 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
36.8A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
7.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
23.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1070 pF @ 75 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
69.4W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Gói / Trường hợp
PowerPAK® SO-8
Số sản phẩm cơ sở
SIJ494
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Tải xuống SIJ494DP-T1-GE3 Thông số kỹ thuật sản phẩm (PDF)
Bảng dữ liệu
SIJ494DP
Bảng dữ liệu HTML
SIJ494DP-T1-GE3-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SIJ494DP-T1-GE3TR
SIJ494DP-T1-GE3CT
SIJ494DP-T1-GE3DKR
Phụ tùng thay thế
SỐ PHẦN
NHÀ SẢN XUẤT
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
DiGi SỐ PHẦN
ĐƠN GIÁ
Loại thay thế
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Customer service가 친절하고 정중하게 대응해줘서 감탄했어요.
Dec 02, 2025
包装がとてもエコで、環境負荷を抑える努力が伝わってきます。配送も早くて満足です。
Dec 02, 2025
They offer great value, and their commitment to sustainability is evident in their packaging choices.
Dec 02, 2025
After-sales assistance from DiGi Electronics is top-notch—detailed, prompt, and always eager to help.
Dec 02, 2025
I am confident that every package will arrive in perfect condition.
Dec 02, 2025
I value how DiGi Electronics keeps customers informed and supported well after the sale.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Các đặc điểm chính của MOSFET Vishay SIJ494DP-T1-GE3 là gì?
Vishay SIJ494DP-T1-GE3 là dòng MOSFET N-Channel hiệu suất cao, có điện áp Drain-Source tối đa 150V, dòng tải liên tục 36,8A và điện trở Rds On thấp chỉ 23,2mΩ. Thiết kế này phù hợp để lắp đặt mặt nổi trong các gói PowerPAK® SO-8, mang lại hiệu quả quản lý điện năng đáng tin cậy trong nhiều ứng dụng khác nhau.
Vishay SIJ494DP-T1-GE3 có phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao không?
Có, với điện áp Drain-Source tối đa 150V và khả năng xử lý dòng điện lên đến 36,8A, Vishay SIJ494DP-T1-GE3 lý tưởng cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao, chuyển đổi nguồn và điều khiển động cơ đòi hỏi hiệu suất ổn định và tin cậy.
Các tùy chọn phù hợp và cách lắp đặt của dòng MOSFET này là gì?
MOSFET này có gói PowerPAK® SO-8 dành để lắp mặt nổi, phù hợp với quy trình lắp ráp bo mạch PCB chuẩn. Thiết kế của nó giúp tản nhiệt hiệu quả và dễ dàng tích hợp vào các mạch điện tử công suất.
Lợi ích của việc sử dụng dòng MOSFET ThunderFET® của Vishay như SIJ494DP-T1-GE3 là gì?
MOSFET ThunderFET® mang lại điện trở Rds On thấp giúp giảm tổn thất dẫn, khả năng xử lý dòng cao, hiệu năng tản nhiệt vượt trội, góp phần nâng cao hiệu quả năng lượng và độ tin cậy trong các ứng dụng điện tử đòi hỏi khắt khe.
Vishay SIJ494DP-T1-GE3 đảm bảo chất lượng và độ tin cậy cho mục đích thương mại như thế nào?
MOSFET này tuân thủ RoHS3, đi kèm bao bì đúng tiêu chuẩn RoHS, cung cấp trong kho hàng chính hãng mới 100% cùng tiêu chuẩn chất lượng cao. Thiết kế với khả năng hoạt động trong dải nhiệt độ rộng (-55°C đến 150°C) giúp đảm bảo độ bền trong nhiều môi trường khác nhau.
Đảm bảo chất lượng (QC)
DiGi đảm bảo chất lượng và tính xác thực của mọi linh kiện điện tử thông qua kiểm tra chuyên nghiệp và lấy mẫu theo lô, cam kết nguồn cung đáng tin cậy, hiệu suất ổn định và tuân thủ thông số kỹ thuật, giúp khách hàng giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng và tự tin sử dụng linh kiện trong sản xuất.
SIJ494DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIJ494DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
