Ngăn ngừa hàng giả và hàng lỗi
Kiểm tra hình ảnh và đóng gói
Xác minh Hiệu suất Điện
Email dịch vụ
[email protected]
>
SIHB10N40D-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
1285 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Yêu cầu báo giá
(Giao hàng vào ngày mai)
*Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
5.0 / 5.0
- (383 Đánh giá)
SIHB10N40D-GE3
Tổng quan sản phẩm
12787055
DiGi Electronics Số hiệu phần
SIHB10N40D-GE3-DGNhà sản xuất
Vishay Siliconix
SIHB10N40D-GE3
Mô tả
MOSFET N-CH 400V 10A TO263Hàng tồn kho
1285 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
Mua sắm và hỏi thăm
Bảo hành & Trả hàng
Cách đặt hàng
Vận chuyển & Giao hàng
Đảm bảo chất lượng
365 - Đảm Bảo Chất Lượng Hàng Ngày - Mọi bộ phận đều được hỗ trợ đầy đủ.
Hoàn tiền hoặc đổi hàng trong 90 ngày - Bộ phận bị lỗi? Không rắc rối.
Hàng tồn kho có hạn, đặt hàng ngay - Nhận linh kiện đáng tin cậy mà không lo lắng.
Giao Hàng Toàn Cầu & Bao Bọc An Toàn
Giao hàng toàn cầu trong 3-5 ngày làm việc
Bao bì chống tĩnh điện 100%
Theo dõi theo thời gian thực cho mọi đơn hàng
Thanh toán an toàn & linh hoạt
Thẻ tín dụng, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Chuyển khoản ngân hàng (T/T) và nhiều hơn nữa
Tất cả các khoản thanh toán được mã hóa để đảm bảo an toàn
SIHB10N40D-GE3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor, FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
400 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
526 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
147W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
SIHB10
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Tải xuống SIHB10N40D-GE3 Thông số kỹ thuật sản phẩm (PDF)
Bảng dữ liệu
SIHB10N40D
Bảng dữ liệu HTML
SIHB10N40D-GE3-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
他們充足的庫存令我非常滿意，避免了等待的煩惱。
Dec 02, 2025
J’apprécie particulièrement la rapidité avec laquelle ils traitent et envoient les commandes.
Dec 02, 2025
Their quick shipment process minimizes downtime, allowing me to get back to work faster.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics’ logistics system is well-organized, ensuring fast and accurate deliveries.
Dec 02, 2025
I appreciate the risk-free shopping experience thanks to their reliable and consistent products.
Dec 02, 2025
I appreciate their timely support and quick fulfillment of orders.
Dec 02, 2025
Timely shipping and expert support have made DiGi Electronics my preferred supplier for critical components.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Các đặc điểm chính của MOSFET N-channel Vishay SIHB10N40D-GE3 là gì?
MOSFET này có điện áp drain- nguồn 400V, dòng tải liên tục 10A và điện trở Rds On thấp chỉ 600mΩ tại Vgs 10V, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao. Nó được thiết kế với gói đóng gói bề mặt TO-263 và hoạt động trên phạm vi nhiệt độ rộng từ -55°C đến 150°C.
Tôi có thể sử dụng MOSFET Vishay SIHB10N40D-GE3 trong các dự án điện tử của mình như thế nào?
MOSFET này lý tưởng cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao, điều chỉnh nguồn cấp và điều khiển động cơ. Gói bề mặt TO-263 giúp dễ dàng tích hợp vào thiết kế PCB, và nó có thể chịu đựng công suất Dissipation lên đến 147W tại nhiệt độ junction.
Liệu MOSFET Vishay SIHB10N40D-GE3 có tương thích với điện áp điều khiển MOSFET tiêu chuẩn không?
Có, MOSFET này được thiết kế để hoạt động đầy đủ khi cổng (gate) được cung cấp điện áp 10V, mang lại Rds On thấp và hiệu suất chuyển mạch hiệu quả trong các ứng dụng điện công nghiệp thông thường.
Những lợi ích khi sử dụng MOSFET Vishay SIHB10N40D-GE3 so với các linh kiện tương tự là gì?
Với điện áp drain- nguồn cao, điện trở Rds On thấp và khả năng chịu công suất mạnh mẽ, nó phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi cao về điện áp và dòng điện, đảm bảo hoạt động ổn định và tiết kiệm năng lượng.
Có chính sách bảo hành hoặc hỗ trợ kỹ thuật nào khi tôi mua MOSFET Vishay SIHB10N40D-GE3 không?
Chúng tôi có sẵn kho hàng chính hãng Vishay với chất lượng đảm bảo. Đối với chính sách bảo hành hoặc hỗ trợ kỹ thuật cụ thể, vui lòng tham khảo chính sách của người bán hoặc liên hệ bộ phận chăm sóc khách hàng để được hỗ trợ.
Đảm bảo chất lượng (QC)
DiGi đảm bảo chất lượng và tính xác thực của mọi linh kiện điện tử thông qua kiểm tra chuyên nghiệp và lấy mẫu theo lô, cam kết nguồn cung đáng tin cậy, hiệu suất ổn định và tuân thủ thông số kỹ thuật, giúp khách hàng giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng và tự tin sử dụng linh kiện trong sản xuất.
SIHB10N40D-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
