Ngăn ngừa hàng giả và hàng lỗi
Kiểm tra hình ảnh và đóng gói
Xác minh Hiệu suất Điện
Email dịch vụ
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Yêu cầu báo giá
(Giao hàng vào ngày mai)
*Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
5.0 / 5.0
- (94 Đánh giá)
IPP041N12N3GXKSA1
Tổng quan sản phẩm
12803539
DiGi Electronics Số hiệu phần
IPP041N12N3GXKSA1-DGNhà sản xuất
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Mô tả
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Hàng tồn kho
200457 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
Mua sắm và hỏi thăm
Bảo hành & Trả hàng
Cách đặt hàng
Vận chuyển & Giao hàng
Đảm bảo chất lượng
365 - Đảm Bảo Chất Lượng Hàng Ngày - Mọi bộ phận đều được hỗ trợ đầy đủ.
Hoàn tiền hoặc đổi hàng trong 90 ngày - Bộ phận bị lỗi? Không rắc rối.
Hàng tồn kho có hạn, đặt hàng ngay - Nhận linh kiện đáng tin cậy mà không lo lắng.
Giao Hàng Toàn Cầu & Bao Bọc An Toàn
Giao hàng toàn cầu trong 3-5 ngày làm việc
Bao bì chống tĩnh điện 100%
Theo dõi theo thời gian thực cho mọi đơn hàng
Thanh toán an toàn & linh hoạt
Thẻ tín dụng, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Chuyển khoản ngân hàng (T/T) và nhiều hơn nữa
Tất cả các khoản thanh toán được mã hóa để đảm bảo an toàn
IPP041N12N3GXKSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor, FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Đóng gói
Tube
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
120 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 270µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
300W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IPP041
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Tải xuống IPP041N12N3GXKSA1 Thông số kỹ thuật sản phẩm (PDF)
Bảng dữ liệu
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Bảng dữ liệu HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Các tính năng chính của MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1) là gì?
MOSFET này hỗ trợ điện áp drain-Source là 120V và dòng tải liên tục lên đến 120A ở nhiệt độ 25°C, với Rds On thấp chỉ 4.1mΩ, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. Nó được thiết kế dạng vỏ TO-220-3 giúp dễ lắp đặt và đảm bảo hiệu suất ổn định.
MOSFET 120V 120A này phù hợp với những ứng dụng nào?
MOSFET này lý tưởng cho các bộ chuyển đổi nguồn, bộ điều khiển motor, và các mạch chuyển mạch công suất cao, nơi yêu cầu quản lý nguồn hiệu quả và hiệu suất nhiệt tối ưu. Thiết kế vững chắc đảm bảo độ bền trong các hệ thống điện tử đòi hỏi cao.
MOSFET N-Channel này có tương thích với các thiết kế điện tử hiện có không?
Có, IPP041N12N3GXKSA1 tương thích với điện áp điều khiển cổng tiêu chuẩn và có ngưỡng cổng là 4V, phù hợp với nhiều thiết kế nguồn chuyển mạch và hệ thống nhúng.
Lợi ích khi chọn các dòng MOSFET OptiMOS™ của Infineon là gì?
Các MOSFET OptiMOS™ nổi bật với Rds On thấp, hiệu quả cao và khả năng quản lý nhiệt tốt, giúp giảm lượng tiêu thụ năng lượng và nâng cao độ tin cậy của hệ thống tổng thể.
Chế độ bảo hành và hỗ trợ cho sản phẩm MOSFET này như thế nào?
Là sản phẩm hoạt động theo tiêu chuẩn RoHS3, MOSFET được hỗ trợ trực tiếp từ nhà sản xuất với chế độ bảo hành đảm bảo chất lượng. Sản phẩm có sẵn kho, đảm bảo cung cấp nhanh cho các dự án của bạn.
Đảm bảo chất lượng (QC)
DiGi đảm bảo chất lượng và tính xác thực của mọi linh kiện điện tử thông qua kiểm tra chuyên nghiệp và lấy mẫu theo lô, cam kết nguồn cung đáng tin cậy, hiệu suất ổn định và tuân thủ thông số kỹ thuật, giúp khách hàng giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng và tự tin sử dụng linh kiện trong sản xuất.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
